Yarıiletken Lazer (semiconductor laser)

Yarıiletken lazer, bir yarıiletken kristal temelinde lazerdir.

Yarıiletken lazerlerin çalışması, yarıiletken bir malzemenin aktif bölgesinde ışık amplifikasyonuna dayanır. Yarıiletken lazerlerin çoğu, bir yarıiletkenin uygun iki enerji bandı arasında radyasyon kuantum geçişleri kullanır (bantarası geçişler); kondüksiyon bandı ve valens bandı. Bantarası geçişlere dayanan lazerlerin aktif bölgesi, taşıyıcıların termodinamik olarak dengesiz dağılımıyla karakterize edilir; taşıyıcılar, kondüksiyon bandında dejenere bir n-tip yarıiletkene ve valens bandında bir p-tip yarıiletkene sahiptir. Yük taşıyıcılarının bu şekilde dağılımına ‘çift-dejenere’denir (Şekil).

Bir yarıiletken aktif ortamın optik kazancı çok yüksek olabilr (104 cm-1 ‘kadar); bu nedenle, bir yarıiletken lazerdeki aktif elementin boyutu ve boşluk uzunluğu fevkalade küçüktür (boşluk uzunluğu ~ 50 um-1 mm, ve dikey boşluklu lazerlerde bir mikronun kesirleri kadar). Bu özelliklere ek olarak, bir yarıiletken lazer, düşük eylemsizlik (~ 10-9 s), yüksek verimlilik (% 50'ye kadar), spektral ayarlama olasılığı ve geniş bir spektral aralıkta (l = 0,3 mikron ila 30 mikron) üretim için substans seçimiyle karakterize edilir.

Yarı iletken lazerleri pompalamanın en önemli yöntemi, p-n-kavşakları veya heterobağlantılar yoluyla enjeksiyondur (elektrik enerjisinin uyumlu radyasyona dönüştürülmesini sağlar). Bu yöntemi kullanarak pompalanan yarıiletken lazerler "enjeksiyon lazerler" veya "lazer diyotlar" (LD) olarak adlandırılır.

İnjeksiyon lazerlerde (LD), aktif bölgedeki çift dejenere hal, birleşme noktasına bitişik tabakadaki fazla taşıyıcıların injeksiyonuyla indüklenen yarıiletken diyot içinden yüksek bir ileri akım akışı ile yaratılır. Oda sıcaklığında ılımlı eşik akım yoğunluğu nedeniyle heteroyapılara (heterolazerler) yapıya dayalı yarıiletken lazerler en çok kullanılanlardır. En etkin heterolazerlerde iki heterobağlantı (heterojunction) bulunur; elektronları injekte eden (emitör) bir p-n bağlantı ve aktif tabakadan taşıyıcıların difüzyon yayılımını sınırlayan bir p-p bağlantı; aktif bölge bunların aralasındadır.

Şekil: Farklı yarıiletkenlerde bölge (zone) yapıları; (a) saf yarıiletken, (b) n-tip dejenere yarıiletken, (c) p-tip dejenere yarıiletken, (d) çift dejenere yarıiletken