Ultraviyole
litografi, nanoteknolojik elektronik devrelerin, fotoresitin, derin ultraviyole
(DUV-deep ultraviyole) veya aşırı (veya yüksek enerji) ultraviyole (EUV-extreme
ultraviyole) radyasyona maruz bırakılarak hazırlandığı litografi tekniğidir.
Dalga boyu 248 nm
olan ultraviyole radyasyon (deep ultraviyole) minimum 100 nm iletken genişliği
olan şablonların (templat) kullanılmasına izin verir. Devre düzenini ultraviyole
ışın kurar; ultraviyole ışın maskeden geçer ve maskedeki deseni (patern)
devrenin mikroskobik boyutuna indirgeyen bir mercek sistemi ile odaklanır. Bir
silikon wafer, lens sisteminin altına taşınır, böylece waferin üzerindeki tüm
mikroişlemciler ardı ardına işlem görür. Ultraviyole ışınlar maskenin serbest
boşluklarından geçer. UV ışınların etkisiyle, wafwerin ilgili alanındaki
pozitif fotohassas tabaka çözünür hale gelir, ve organik çözücülerle
uzaklaştırılır. DUV litografi ile elde edilen maksimum çözünürlük 50-60 nm'dir.
Aşırı ultraviyole
ışın (EUV-extreme ultraviyole, dalgaboyu ~13.5 nm), DUV ile kıyaslandığında dalga
boyunda yaklaşık 20 kat azalma sağlar (birkaç on atom tabakasının kalınlığında
bir değer). EUV litografi, 30 nm genişliğine kadar hatları yazdırmayı (print)
ve 45 nm'nin altındaki boyutlarda elektronik bileşenleri oluşturmayı mümkün kılar.
EUV litografide, maskenin uygulanmasından sonra elde edilen görüntüyü azaltan ve
odaklamayı sağlayan özel dışbükey (konveks) ayna sistemleri kullanılır. Bu tür
aynalar, 80 ayrı metal tabaka (her biri yaklaşık 12 atom kalınlığında) içeren
nanoheteroyapılardır; bu nedenle aşırı ultraviyole ışını absorplamaz,
yansıtırlar. (Bak. Litografi)
Şekil-1: Elektromagnetik spektrum
Şekil-2: Bir aşırı (veya yüksek enerji)
ultraviyole litografi (EUV) sistemi
Şekil-3: 248 nm dalga
boyunda ("mavi ultraviyole") UV ışın litografi tekniğiyle, bir Si
wafer üzerinde 200 nm aralıklı 80 nm genişliğinde element içeren mikroyapı
