Rutherford Geri Saçılmalı Spektroskopi (Rutherford backscattering spectroscopy)

Rutherford geri saçılma spektroskopisi (RBS), iyon saçılım spektroskopisinin bir türüdür; örneğe göre ters yönde saçılmış 1-3 MeV enerjili He+ iyonlarının veya protonların enerji spektrumlarının analizine dayanır.

Rutherford geri saçılma spektroskopisi, iyon saçılım spektroskopisinde olduğu gibi, numune yüzeyinden (derinlik) uzaklığın bir fonksiyon olarak, numunelerin kimyasal bileşimi ve kristalliği hakkında ve tek kristalli bir numunenin yüzey yapısı hakkında bilgi edinmeyi mümkün kılar. Bu yöntemin asıl özelliği, katı bir gövdeye nüfuz etmiş olan ve derindeki atomlardan geri saçılan yüksek-enerjili iyonların kullanılmasıdır.

Bu proseste bir iyon tarafından kaybedilen enerji iki nedenden kaynaklanır. Birincisi, iyonun katı hacmi içinde ileri ve geri hareket ederken (durma kaybı olarak adlandırılan) sürekli olan enerji kaybıdır. Durdurma için enerji kaybı hızı, çoğu enerji için durdurma gücü, dE/dx bilinir, bu da enerji skalasından derinlik skalasına geçişi kolaylaştırır. İkincisi, saçıcı atomun kütlesi tarafından büyüklüğü belirlenen saçılma enerjisinin bir defalık kaybıdır. (Örnek olarak, bir substrat üzerinde ince bir film olan bir numunenin spektrumunun oluşumu Şekildeki diyagramda, gösterilmiştir.)

Rutherford geri saçılma spektroskopisinde monokristal örneklerin yapısını incelemek için kanal oluşturma etkisi kullanılır. Bu etkinin özü, iyon demeti ana monokristal simetri yönleri boyunca yönlendirildiğinde, yüzey atomlarıyla doğrudan çarpışmadan kaçan iyonların, kristalde, atomların sıralanmasıyal oluşmuş kanallar boyunca yüzlerce nanometreye kadar derine nüfuz edebilmesidir. İyon demetinin, kanal yönleri boyunca ve onlardan farklı yönlerde yönlendirildiğinde üretilen spektrumları karşılaştırarak, numunenin kristalin yapısı hakkında bilgi elde edilebilir. İyonların yüzey atomlarıyla doğrudan çarpışmasının bir sonucunda oluşan piklerin (yüzey piki denilen) analiz edilmesiyle yeniden yapılanma, gevşeme (relaksasyon) ve adsorbatların varlığı gibi, yüzey yapısı hakkında bilgi elde edilir.



Kütlesi m1 ve başlangıç enerjisi E0 olan örnekten saçılan iyonların spektrumunun şematik diyagramı ((yapısal etkiler olmadığı için film ve substratın amorf olduğu kabul ediliyor)