Tünel magnetodirenç (TMR), iki
ferromagnetik bölge arasındaki elektrik direncindeki değişikliklerin etkisidir;
bölgeler, magnetik alan tarafından uyarılan bir spin-polarize taşıyıcıların
tünellemesi nedeniyle ince bir dielektrik tabakayla ayrılmıştır.
Tünelleme magnetodirencin etkisi, dev magnetodirence benzer, fakat
ferromagnetik bölgeler iletken olmayan izolasyon tabakalarla ayrılmıştır. Bu
durumda izolasyon tabaka boyunca yük taşıyıcıların transportu sadece kuantum
mekanik etkilerle sağlanır. Kompozitler, tünel magnetodirenç kullanan
sistemlerden biridir. Bunlarda, ferromagnetik grainler (taneler) yalıtkan bir
matriste ve magnetik tabakaların ince dielektrik tabakalarla ayrıldığı katmanlı
yapılarda düzenlenmiştir.
Son zamanlarda, tünelleme magnetik dirence dayanan
magnetorezistiv rasgele erişimli bellek (MRAM) oluşturulmuştur. Etki, sabit
disklerin okuma kafalarında da kullanılır. Bu etki, spintronics cihazlarında
pratik olarak uygulanabilecek en önemli etkilerden biridir.
Şekil-1: Tünel magnetodirenç (TMR) etkisiyle tanımlanan bir yapı
örneği
Şekil-2: Tünel magnetodirenç (TMR) etkisi
