Litografide oyma (veya aşındırma), fotolitografik proseste
bir adımdır; ince bir fotorezist (fotodirenç) film ile kaplanmış bir substratın
ışınlanmış alanlarından bir pozitif fotorezistin veya ışınlanmamış alanlarından
bir negatif fotorezistin çıkarılmasını içerir. (Bak. Fotorezist)
Fotorezist ıslak oyma yüksek seçiciliğe sahiptir, ancak
izotropiktir ve substrat yüzeyine, birden fazla yönde, sadece dikey olarak
değil aynı zamanda yatay olarak da, direnç tabakasının altında meydana gelir.
Sonuç olarak, kazınmış görüntü boyutu ilgili maskeyi aşar.
En yaygın olarak kullanılan uygulama reaktif iyonla oymadır;
burada substrat bir maske ile kaplanır ve yüksek frekanslı elektrik alanı
tarafından uyarılan plazmaya maruz bırakılır. Radikaller ve nötral plazma
partikülleri yüzeyde kimyasal reaksiyonlarda uçucu ürünler oluştururken, pozitif
plazma iyonları yüzeyi bombardıman eder ve substratın korunmamış alanlarından
atomlar çıkarır. Kuru oyma yapılacak her malzeme için uygun bir reaktif gaz
seçilmelidir. Örneğin, organik dirençleri (rezist) oymak için oksijen plazması
(CF4 + O2), alüminyum için klor içeren bir plazma (CCl4,
BCl3, BCl3 + Cl2, BCl3 + CCl4 +
O2), silikon ve bileşiklerini oymak için klor ve flor plazması (CCl4
+ Cl2 + Ar, ClF3 + Cl2, CHF3, CF4
+ H2, C2F6) kullanılır. Kuru oymanın
dezavantajı, sıvı oymayla karşılaştırıldığında seçiciliğin daha düşük olmasıdır.
İyon-demet oyma, kuru anizotropik oymanın bir çeşididir.
Fiziksel ve kimyasal mekanizmaları birleştiren reaktif iyon oymanın aksine,
iyon demeti oyma sadece momentum transferi fiziksel prosesiyle kontrol edilir.
İyon-demeti oyma, herhangi bir malzeme veya malzeme kombinasyonu için uygun
olan tüm yöntemler arasında, en yüksek oymaya sahip, 10 nm'den küçük öğeleri
üretmeyi mümkün kılan evrensel bir yöntemdir.
