Plazma-destekli
kimyasal buhar depozisyon ((PECVD), yüksek frekanslı plazma ile güçlendirilmiş
bir buhar fazdan, ince filmlerin kimyasal depozisyon prosesidir.
Plazma-destekli
kimyasal buhar depozisyon prosesinde, bir reaksiyon gazını aktif radikallere
parçalamak için gaz deşarj plazma kullanılır. Bir reaksiyon ortamında farklı
plazma üretim yöntemleri uygulanması ve plazma parametrelerinin ayarlanmasıyla,
çok daha düşük substrat sıcaklıklarında kaplama büyümesinin hızlandırılması ve
amorf ve polikristalin filmlerin depozisyonu, ve ayrıca, hedef mikropaterin
oluşumu, yapı, safsızlık kompozisyonu ve kaplamanın diğer özellikleri
incelenebilir. Bu tür çalışmalarda plazma-destekli kimyasal buhar depozisyon
prosesi (200-400°C), reaksiyon gazının termal dekompozisyonuna dayanan benzer
kimyasal buhar depozisyon (CVD) proseslerinden (425-900 0C), çok daha
düşük sıcaklıklarda gerçekleşir ve daha hızlıdır.
Bir plazma-destekli kimyasal buhar depozisyon ((PECVD) sistemi
