Fiziksel Buhar Depozisyon (physical vapour deposition)

Fiziksel buhar depozisyon (PVD), buhar (gaz) fazından vakum kaplama teknolojisidir (ince filmler); kaplama, uygulanan malzeme buharının doğrudan yoğunlaşması (kondensasyon) yoluyla yapılır.

PVD metotları iki şekilde yürütülebilir: termal buharlaştırma ve iyon plazma püskürtme (sputtering).

Termal buharlaştırmada, püskürtülen malzeme yeterince yüksek bir sıcaklığa ısıtılır ve bu sıcaklıklarda bazı atomlar veya moleküller, kimyasal bağları koparmak ve maddeden ayrılmak için yeterli enerji alırlar. Bu durumda sıvı buharlaşır ve katılar süblimleşir.

Isıtma prosesleri çeşitlidir:

1. Termal buharlaşma (dirençli ısıtma) (TVD prosesi)

Substans, istenen buharlaşma sıcaklığına kadar ultra yüksek vakumda (≤ 1.3 10-8 Pa) termal olarak ısıtılır; substans atomları ve molekülleri substrata düşer ve yoğunlaşır

2. Elektron demeti buharlaştırma (EBVD-prosesi)

Anot görevindeki bir metal numune, katottan çıkan birkaç keV enerjili elektron akımını alır; bu da atomların sürekli olarak buharlaşmasını sağlar.

3. Lazer ablasyon ve pulslu lazer depozisyon

Lazer ablasyon,bir katıdan (veya bazan sıvıdan) lazer demetiyle ışınlandırılarak malzeme çıkarmaktır. Hedef, bir excimer (bir UV lazer formu) veya Nd: YAG lazeri ile bir pulslu UV ışınına maruz bırakılır. Işınım şiddeti 108-109 W/cm2, süresi birkaç santimetre olup hedef sıcak noktada malzemelerin (metaller, metal oksitler) ablasyonu için yeterlidir.

Pulslu lazer depozisyon (PLD), pulslu lazer ışını ve hedef malzeme etkileşim ürünlerini, vakumda (ablasyon) bir substrat üzerinde yoğunlaştırarak filmler ve kaplamalar elde edilmesidir.

4. Elektrik ark buharlaştırma (ark-PVD-prosesi)

Anot ve katot arasında bir vakum arkı başlatılarak katot malzemesi buharlaştırılır. Proses, 0.133-13.3 Pa arasındaki düşük basınçlarda inert bir gaz ortamında gerçekleşir ve epitaksi sıcaklığı, termal buharlaştırma yöntemleri için olan sıcaklıktan daha düşük olur. (Epitaksi, kristalin bir substrat üzerinde kristalin bir tabaka oluşturulmasıdır.)

İyon plazma püskürtmede (sputtering) hedef yüzey, hedef atomların bağlanma enerjisini aşan enerjili, atomlar, iyonlar veya moleküller tarafından bombardıman edilir. Bir kural olarak bombardıman için asal gaz iyonları kullanılır, çünkü bunlar elektrik alanında istenen enerjiye kolaylıkla hızlanır ve kimyasal olarak inerttirler.

Kaplanmış bölgelerdeki muazzam sıcaklık değişkenliği, sert-alaşımlı aletlerin kaplanmasında bu metotları evrensel hale getirir. Bu teknolojiler aynı zamanda evrenseldir, çünkü nitrit, karbür, Ti, Zr, H refrakter metallerin karbonitrit bileşiklerine dayanan geniş bir yelpazede tek katmanlı, çok tabakalı ve kompozit kaplamalarda kullanılabilir.