Delta doplama, hafif-doplanmış (katkılı) bir yarıiletken
kütlede ince yüksek derecede doplu bir tabaka (yaklaşık 1 nm) oluşturulmasıdır.
"Delta-doplama" terimi, bu durumda derinlemesine dopant dağılımının
Dirac delta fonksiyonuyla temsil edilmesinden kaynaklanır.
Periyodik Si-delta-doping'in n-tipi GaN
epiltabakalarda etkisi
