(Kunio Takayanagi, 1985)
DAS model, Dimerli, Adatomlu ve Stacking
(yığma, istif) faylı (hatalı) bir yüzey modelidir.
Model, atomik olarak temiz bir Si (111) 7 x 7
yüzeyinin yeniden yapılandırılmasını açıklamak için önerilmiştir.
7x7 rekonstrüksiyonlu bir birim hücre, bir açılı
boşluk ve dimer zincirlerle ayrılmış iki üçgen alt hücreden oluşur. Her bir alt
hücre, kristal yüzeyde adsorblanmış fakat henüz kristalin latisle ilişkili
olmayan 6 atom (adatom) içerir. Alt hücrelerin birindeki adatom tabakasının
altındaki atomik tabaka yığma hatası yönlendirmesine sahiptir. Bu modelin
yeterliliği, çoklu testlerle teyit edilmiştir.
Atomik olarak temiz Si (111) 7 x 7
yüzeyinin STM imajları (a) dolu ve doldurulmamış, (b) yüzeyin elektron
durumları ile (c) yüzeyin şematik gösterimi (plan ve yan görünüşler)
